Transistoren

C(inch): 85pF. Kosten): 34pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 26 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 7.3A. Binnendiameter (T=100°C): 0.93A. ID (T=25°C): 1.2A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 540mW. Aan-weerstand Rds Aan: 0.025 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 9 ns. Td(aan): 3.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: B. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 3.9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 9 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 85pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.54W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 3.9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 9 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 85pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.54W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: D. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.76A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ -0.3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 75pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.54W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 510pF. Kosten): 71pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 17 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 24A. Binnendiameter (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Let op: zeefdruk/SMD-code H. Markering op de kast: H. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.098 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 52 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.165 Ohms @ -2.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 350 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 12 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 88pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: C. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.62A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.61A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 97pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.54W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.1V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 650pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 633pF. Kosten): 145pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 22A. Binnendiameter (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.05 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 588 ns. Td(aan): 350 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 20V. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.4V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.7A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ -3.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 350 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 588 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 633pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23/6. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Markering van de fabrikant: 2E. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1079pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 480pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 72A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Equivalenten: IRLR024NPBF. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 5V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Poortbesturing op logisch niveau. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Productserie: HEXFET. Polariteit: MOSFET N. Vdss (afvoer naar bronspanning): 55V. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 17A. Poort-/bronspanning Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Poort-/bronspanning Vgs max: -16V. Max: 45W. Behuizing: DPAK. Montagetype: SMD

C(inch): 440pF. Kosten): 97pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 35A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Equivalenten: IRLR120NTRPBF. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.185 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 23 ns. Td(aan): 4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Poortbesturing op logisch niveau. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 880pF. Kosten): 220pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 75. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 76 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. Binnendiameter (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 21 ns. Td(aan): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Gate Drive op logisch niveau, snel schakelen. Spec info: lage weerstand R-aan 0,040 Ohm. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1700pF. Kosten): 400pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2000. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. Binnendiameter (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.027 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 26 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Poortbesturing op logisch niveau. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRLR2905PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 26 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 110W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 1570pF. Kosten): 230pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 22ms. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 240A. Binnendiameter (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Equivalenten: IRLR2905ZTRPBF. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 11m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 24 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3980pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 34-51 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. Binnendiameter (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Equivalenten: IRLR3110ZPbF. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.105 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: ±16. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 800pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.105 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Poortbesturing op logisch niveau. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: LR3410. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 97W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 2900pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 21ms. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 360A. Binnendiameter (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Aan-weerstand Rds Aan: 6.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 33 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4380pF. Kosten): 940pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2000. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 39 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 620A. Binnendiameter (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 161A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: LR7843. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 34 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Functie: Zeer lage RDS (aan) bij 4,5 V VGS, ultralage poortimpedantie. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1030pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 17 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 260A. Binnendiameter (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Aan-weerstand Rds Aan: 6.3m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 9.4 ns. Td(aan): 8.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: Ultra-lage poortimpedantie. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2150pF. Kosten): 480pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. Binnendiameter (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 1uA. Equivalenten: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 4m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: Ultra-lage poortimpedantie. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS