Transistoren

C(inch): 4880pF. Kosten): 950pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 18 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 640A. Binnendiameter (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 135W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 21 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Productserie: HEXFET. Polariteit: MOSFET N. Vdss (afvoer naar bronspanning): 55V. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 17A. Poort-/bronspanning Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Poort-/bronspanning Vgs max: -16V. Max: 45W. Behuizing: IPAK. Montagetype: SMD

C(inch): 480pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Binnendiameter (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 47W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 20 ns. Td(aan): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRLZ24NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.1 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 480pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 45W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 880pF. Kosten): 220pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 76 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 110A. Binnendiameter (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.035 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 21 ns. Td(aan): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRLZ34NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 880pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 68W. Behuizing (JEDEC-standaard): 30A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 30A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.035 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-262 ( I2-PAK ). Behuizing (volgens datablad): TO-262. Spanning Vds(max): 55V

C(inch): 1700pF. Kosten): 400pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 160A. Binnendiameter (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 47A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.022 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 26 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 41A. Vermogen: 83W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.022 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 55V

Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Germaniumdiode: onderdrukker. Collectorstroom: 46A. Ic(T=100°C): 31A. Markering op de kast: V5036P. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 10.8 ns. Td(aan): 7 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AA. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 390V. Poort-/emitterspanning VGE: 10V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 1.3V. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. CE-diode: NINCS

C(inch): 6600pF. Kosten): 640pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 300A. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 360W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.01 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 24 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AD. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IXFH13N80. Afvoerbronspanning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 63 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AD. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IXFH26N50. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 4700pF. Kosten): 580pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 104A. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 360W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 80 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5700pF. Kosten): 750pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 128A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 200uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 360W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AD. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IXFH58N20. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 25 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-264AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IXFK140N30P. Afvoerbronspanning Uds [V]: 300V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 70A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 14000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1040W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 7500pF. Kosten): 920pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. ID (T=25°C): 34A. Idss (max): 2mA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 560W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.24 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264AA. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 8400pF. Kosten): 900pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: F-Class--MHz Switching. Id(imp): 176A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 2mA. ID s (min): 400uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 500W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.12 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264AA. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. C(inch): 12pF. Kosten): 910pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 1.5mA. ID s (min): 50uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.19 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 75 ns. Td(aan): 28 ns. Technologie: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264AA. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-264AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IXFK48N50. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 8400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 500W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 25. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264AA. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-264AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IXFK48N60P. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ 24A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 85 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 8860pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 830W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. C(inch): 7900pF. Kosten): 790pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 200 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. Binnendiameter (T=100°C): 5.5V. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 830W. Aan-weerstand Rds Aan: 85m Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 85 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264AA. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-264AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IXFK64N60P. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 28 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 79 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 12000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1040W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 10000pF. Kosten): 1800pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. Binnendiameter (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 2mA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 500W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.033 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 42 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264AA. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 300V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S-bescherming: NINCS