Transistoren

Kosten): 3.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 70. Collectorstroom: 0.05A. Markering op de kast: C2310 O. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92L (9mm magas). Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 3.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Collectorstroom: 0.05A. Markering op de kast: C2310 Y. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92L (9mm magas). Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Weerstand B: 10. BE-weerstand: 10. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Collectorstroom: 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Weerstand B: 10. BE-weerstand: 10. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: 0501-000367. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Spec info: 9 mm hoogte. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 60pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: hFE 120...240. Collectorstroom: 0.7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V

Kosten): 60pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 3A. Ic(puls): 10A. Markering op de kast: KSC5027 (O). Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.3us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 60pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 3A. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

BE-weerstand: 10. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Dyn Focus. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 4W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 900V. Spec info: HV switch. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

BE-weerstand: 10. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge resolutie . Collectorstroom: 8A. Let op: MONITOR. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

BE-weerstand: 10. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: High Switching 0.1us. Maximale hFE-versterking: 22. Minimale hFE-versterking: 8:1. Collectorstroom: 7A. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: C5386. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 4.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Behuizing: TO-3PF (SOT399). BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Kosten): 80pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT-HA (F). Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Spec info: Monitor 68KHz. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 90pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT-HA (F). Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT-HA (F). Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 12A. Ic(puls): 24A. Markering op de kast: C5803. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: FM-V/M/O/IF. Collectorstroom: 0.03A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 35V. Spec info: 12149301860. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: FM-V/M/O/IF. Collectorstroom: 0.03A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 35V. Spec info: 62137301900

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Collectorstroom: 0.05A. Let op: hFE 350...700. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Spec info: 0501-000394

Pinout: 1. C(inch): 1.5pF. Kosten): 11pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 150mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) KSA733. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Pinout: 1. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Collectorstroom: 150mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) KSA733. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 35pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 150. Collectorstroom: 3A. Markering op de kast: D2012-G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55°C tot +150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) KSB1366. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 20pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Collectorstroom: 5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3PML. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Kosten): 500pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Horizontale afbuiging van hoogspanningskleurendisplay . Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 1us. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Kosten): 500pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Spec info: 12149-401-070

Kosten): 500pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 90 MHz. Collectorstroom: 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Spec info: SD882-Y

Kosten): 180pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Hoogspanningsschakelmodus . Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 8:1. Collectorstroom: 12A. Ic(puls): 24A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 9V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 4A. Let op: b>750. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Spec info: 0503-000001