IRFB42N20D

IRFB42N20D. C(inch): 3430pF. Kosten): 530pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 220 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: FB42N20D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 29 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Functie: SMPS, hoogfrequente DC-DC-converters. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 17:25.