IRFB3307Z

IRFB3307Z. C(inch): 4750pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 512A. Binnendiameter (T=100°C): 90A. ID (T=25°C): 128A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0046 Ohm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 75V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 17:25.