Transistoren

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: HD-1. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: IRFD9024PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -0.96A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 570pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 200pF. Kosten): 94pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 82 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 5.6A. Binnendiameter (T=100°C): 0.49A. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET POWWER MOSFET. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DIP4. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: IRFD9110PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Behuizing (JEDEC-standaard): 1.2 Ohms. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (max): 0.1A. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.6 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 100V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DIP4. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: IRFD9120PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 390pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 0.34A. ID (T=25°C): 0.56A. Idss (max): 0.56A. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 200V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: HD-1. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: IRFD9220PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.56A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -0.34A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 7.3 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 340pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI3205PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 34A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 63W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 360pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. Id(imp): 29A. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 37W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. Td(uit): 19 ns. Td(aan): 8.8 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor van de derde generatie. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220 FULLPAK. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI520GPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 4.3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 37W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 360pF

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI530GPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 5.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 34 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 670pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 42W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI540GPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 53 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 1400pF. Kosten): 330pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 110A. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 54W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.052 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 44 ns. Td(aan): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220 FULLPAK. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 800pF. Kosten): 240pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: IRFI630G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 9.4 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI630GPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 32W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI640GPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 5.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 1100pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 380 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low Gate Charge. Id(imp): 23A. Binnendiameter (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Let op: Viso 2500V. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 400V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI740G. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 3.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 54 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1370pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 0.55 Ohms 40W

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 4.6A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohm 40W. Behuizing: TO-220-F. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: diode. Id(imp): 18A. Binnendiameter (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Afvoerbronspanning (Vds): 500V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI840GPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 2.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI9540GPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -6.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 24 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 4.3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V. Functie: td(on) 12ns, td(off) 28ns

Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss (max): 4.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 250V. Functie: td(on) 12ns, td(off) 34ns

C(inch): 350pF. Kosten): 48pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 290ms. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 6A. Binnendiameter (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 4.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 660pF. Kosten): 86pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Binnendiameter (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Functie: Switching. G-S-bescherming: NINCS