IRFB4229

IRFB4229. C(inch): 4560pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Klasse-D audioversterker 300W-500W (halve brug). Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Aan-weerstand Rds Aan: 38m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Spanning Vds(max): 250V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 09:25.