IRFB52N15D

IRFB52N15D. C(inch): 2770pF. Kosten): 590pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. Binnendiameter (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: FB52N15D. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.032 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 28 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Functie: Hoogfrequente DC-DC-converters, plasmascherm. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 17:25.