IRF3710S

IRF3710S. C(inch): 3000pF. Kosten): 640pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 210 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.025 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 58 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.