IRF3205S

IRF3205S. C(inch): 3247pF. Kosten): 781pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Geavanceerde procestechnologie . Id(imp): 390A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250nA. ID s (min): 25nA. Equivalenten: IRF3205SPBF. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 50 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 06:25.