N-kanaaltransistor IRF3205S, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250nA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 55V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 3247pF. Equivalenten: IRF3205SPBF. Functie: Geavanceerde procestechnologie. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25nA. Id(imp): 390A. Kanaaltype: N. Kosten): 781pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 50 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:27