Transistoren

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF540N. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1960pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 130W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 1400pF. Kosten): 330pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. Binnendiameter (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Equivalenten: IRF540NSPBF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.052 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 44 ns. Td(aan): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F540NS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1960pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 130W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F540NS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1960pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 130W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF540PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 28A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 17A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 53 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 1770pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. Binnendiameter (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 92W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aan-weerstand Rds Aan: 21 milliOhms. Functie: Ultra lage aan-weerstand, <0,021 ohm. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 10A. Binnendiameter (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 14 ns. Td(aan): 8.2 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: VGS @10V. Binnendiameter (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (max): 3.3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.16 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 200V. Aantal per doos: 1

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF610PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 11 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 140pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Behuizing (JEDEC-standaard): 36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 260pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 18A. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 19 ns. Td(aan): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF620PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 260pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 860pF. Kosten): 220pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 160 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 53 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): 50. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF630. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 540pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.35 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 72W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: N-Channel MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 200V. Aantal per doos: 1

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF630N. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 27 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 575pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 74W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF630PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 74W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 770pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 220 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.45 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 4.2 ns. Td(aan): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 250V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. Idss (max): 8.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.348 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 250V. Aantal per doos: 1

C(inch): 1300pF. Kosten): 430pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 4 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1160pF. Kosten): 185pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 167 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 23 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF640NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1160pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Behuizing (JEDEC-standaard): 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F640NS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1160pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 18A. Vermogen: 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 200V

C(inch): 1300pF. Kosten): 330pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 56A. Binnendiameter (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 53 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 250V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: td(on) 9.2ns, td(off) 18ns. Id(imp): 45A. Binnendiameter (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (max): 5.7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.028 Ohms. Technologie: DirectFET POWER MOSFET. Spanning Vds(max): 100V. Aantal per doos: 1. Let op: isometrisch