N-kanaaltransistor, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF3710

N-kanaaltransistor, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF3710. N-kanaaltransistor, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 23m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 3230pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 49 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/04/2025, 04:25.