IRF3711S

IRF3711S. C(inch): 2980pF. Kosten): 1770pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 48 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequent geïsoleerde DC-DC. Id(imp): 440A. Binnendiameter (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Aan-weerstand Rds Aan: 4.7M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 17 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 20V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 17/01/2025, 14:25.