STW20NM60

STW20NM60. C(inch): 1450pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 510 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W20NM60. Pd (vermogensdissipatie, max.): 214W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 6 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.