Transistoren

Behuizing: TO-220. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 8A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Uitvoering: Darlington-transistor. Collector-emitterspanning VCEO: -100V. Collectorstroom: -5A. Vermogen: 75W. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Conditioneringseenheid: 50. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP122

BE-weerstand: 8 k Ohms és 120 Ohms. Kosten): 300pF. Conditionering: plastic buis. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 8A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Conditioneringseenheid: 50. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP122G. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP127. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP132. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 15000. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO220. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 4 v. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP137

Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-220AB. Kosten): 70pF. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: 8A. Maximale hFE-versterking: 15000. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 12V. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO220. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 4 v. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP132. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 60pF. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Darlington-transistor met complementaire voeding. Maximale hFE-versterking: 1000. Minimale hFE-versterking: 500. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 20A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Monolithisch Darlington. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Weerstand B: Darlington-vermogenstransistor. C(inch): 100V. Aantal aansluitingen: 3. BE-weerstand: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP147. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Darlington-transistor met complementaire voeding. Maximale hFE-versterking: 1000. Minimale hFE-versterking: 500. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 20A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Monolithisch Darlington. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. BE-weerstand: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP147T. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP147. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 500. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Monolithisch Darlington. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP142

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Darlington-transistor met complementaire voeding. Maximale hFE-versterking: 1000. Minimale hFE-versterking: 500. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 20A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Monolithisch Darlington. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. BE-weerstand: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP142T. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Uitvoering: Darlington-transistor. Collector-emitterspanning VCEO: -100V. Collectorstroom: -10A. Vermogen: 125W. Behuizing: TO-3P

Behuizing: TO-247. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP2955. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 90W. Collectorstroom: 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 70V. Vebo: 7V. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -100V. Collectorstroom: -15A. Vermogen: 90W. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Let op: complementaire transistor (paar) TIP3055. Spec info: Lage collector-emitter-verzadigingsspanning

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP30. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 30W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-247. Conditionering: plastic buis. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: audio-versterker. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 7V. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Vermogen: 90W. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: complementaire transistor (paar) TIP2955. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: Lage collector-emitter-verzadigingsspanning

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 24. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 3A. Ic(puls): 5A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP32C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 160pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: PNP TRANS 100V 3. Productiedatum: 201448. Collectorstroom: 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP31C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: NPN. Vcbo: 140V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP34C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-247. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: PNP. Vcbo: 140V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP33C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Collectorstroom: 25A. Behuizing: TO-247. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Productiedatum: 1450. Maximale hFE-versterking: 50. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 50A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Vermogen: 125W. Maximale frequentie: 3MHz. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP36C

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP35CG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 25A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Behuizing (JEDEC-standaard): 45pF. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP33C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 25A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 25A. Ic(puls): 50A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP35C

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP36CG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 25A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

Kosten): 80pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Maximale hFE-versterking: 75. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 6A. Ic(puls): 10A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP42C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Collectorstroom: 6A. Vermogen: 65W. Maximale frequentie: 3MHz. Behuizing: TO-220

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Maximale hFE-versterking: 75. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 6A. Ic(puls): 10A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP41C. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -100V. Collectorstroom: -6A. Vermogen: 65W

Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -100V. Collectorstroom: -6A. Vermogen: 65W. Maximale frequentie: 3MHz. Behuizing: TO-220