STQ1NK60ZR-AP

STQ1NK60ZR-AP. C(inch): 94pF. Kosten): 17.6pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 135 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1.2A. Binnendiameter (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 1NK60ZR. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3W. Aan-weerstand Rds Aan: 13 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 13 ns. Td(aan): 5.5 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92Ammopak. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Aantal per doos: 1. Functie: Zener-beschermd, ESD verbeterde mogelijkheden. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.