STW12NK80Z

STW12NK80Z. C(inch): 2620pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 635 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Verbeterde ESD-mogelijkheden. Id(imp): 42A. Binnendiameter (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W12NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 70 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: SuperMESH™ power MOSFET-transistor beschermd door zenerdiode. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: EXTREEM HOGE dv/dt-CAPABILITEIT . Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.