STW10NK60Z

STW10NK60Z. C(inch): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W10NK60Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 156W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.