Transistoren

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P4. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 235pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.7W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L6. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 305pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L7. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 380pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L7. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 380pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: N7. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.7A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.138 Ohms @ -2.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 60 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 340pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 190pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.66W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: N9. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 60 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 210pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.7W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: M5. Afvoerbronspanning Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -3.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -0.9V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 715pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P7. Afvoerbronspanning Uds [V]: -40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.1A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohm @ -4.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 60 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 27 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 595pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: D3. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.0V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 25 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 71 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1020pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3. Afvoerbronspanning Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.1A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ -5.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1225pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: O4. Afvoerbronspanning Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 26 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1275pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Binnendiameter (T=100°C): 1.95A. ID (T=25°C): 2.45A. Idss (max): 5nA. ID s (min): 1nA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1nA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: TSOP. Behuizing (volgens datablad): TSOP-6. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 20V. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) min.: 0.45V. Aantal aansluitingen: 6. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 35ms. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 5.9A. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 97 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 45ms. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 5.9A. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.013 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 55 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.013 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4410BDY. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.4W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 10.5A. ID (T=25°C): 13.5A. Idss (max): 13.5A. Markering op de kast: 4420AP. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 41ms. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11.4A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.01 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 100 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4431BDY-T1-E3. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.7A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1600pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4431CDY-T1-GE3. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ -7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1006pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.6W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 5.6A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 110 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: P. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 8.8A. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.015 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1

C(inch): 12350pF. Kosten): 2775pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 84 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Power MOSFET. Id(imp): 70A. Binnendiameter (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 7.8W. Aan-weerstand Rds Aan: 17m Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 240 ns. Td(aan): 38 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 12V. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Aantal per doos: 1. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Power MOSFET. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 20uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.026 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 52 ns. Td(aan): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 80V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS