Transistoren

C(inch): 25pF. Kosten): 10pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Interface en schakelen. Id(imp): 0.8A. ID (T=25°C): 115mA. Idss (max): 115mA. Markering op de kast: RKM. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Aan-weerstand Rds Aan: 7.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Silicon N-channel MOSFET. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

Kosten): 100pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: DTR.. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Spec info: zeefdruk/CMS-code XJ

C(inch): 780pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Bescherming afvoerbron: diode. Type transistor: MOSFET. Functie: DC-DC-spanningsomvormer. Id(imp): 14A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: TM. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.25W. Aan-weerstand Rds Aan: 65m Ohms. RoHS: ja. Hoogte: 2.9x1.6mm. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 45 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: TSOP. Behuizing (volgens datablad): TSMT6. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 6. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 3000. G-S-bescherming: ja

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 2.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.074 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: N-Ch MOS FET. Behuizing (volgens datablad): TSMT3. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code QY. Functie: stroomschakeling, DC/DC-converters

C(inch): 1830pF. Kosten): 410pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (max): 1uA. Markering op de kast: TB. Aantal aansluitingen: 8:1. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 78 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: 4V-aangedreven N-ch MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 45V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. Functie: stroomschakeling, DC/DC-converters, omvormers. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0125 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: 4V-aangedreven N-ch MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-218. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: S2000N. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1.5 kV. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 1500V. Collectorstroom: 8A. Vermogen: 50W. Ingebouwde diode: ja. Behuizing: TO-247-T

Kosten): 9pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247F. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 35pF. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF/L, HI-FI Audio. Collectorstroom: 15A. Let op: hFE 5000...20000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Spec info: complementaire transistor (paar) SAP15P. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 35pF. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF/L, HI-FI Audio. Collectorstroom: 15A. Let op: hFE 5000...20000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Spec info: complementaire transistor (paar) SAP15P. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Functie: N MOSFET-transistor. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 20A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Cool Mos. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: P. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (max): 4.4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Advanced Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: P. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 28W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Technologie: V-MOS (F). Spanning Vds(max): 200V. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: P. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 3.4A. Idss (max): 3.4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.3 Ohms. Technologie: V-MOS TO220F. Spanning Vds(max): 250V. Aantal per doos: 1. Let op: On 13ns, Off 40ns

C(inch): 1970pF. Kosten): 310pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 50 ns. Functie: Hoge snelheid IGBT. Collectorstroom: 48A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Markering op de kast: G30N60RUFD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 235W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 54 ns. Td(aan): 30 ns. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3PN. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SGH80N60UF. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 80A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 130 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6.5V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 195W. Maximale collectorstroom (A): 220A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 550pF. Kosten): 62pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Collectorstroom: 20A. Ic(puls): 40A. Ic(T=100°C): 10.6A. Markering op de kast: G10N60A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 92W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 178 ns. Td(aan): 28 ns. Technologie: Snelle IGBT in NPT-technologie. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Functie: Motorbedieningen, omvormer. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. C(inch): 1250pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Trr-diode (min.): 3. Collectorstroom: 30A. Ic(puls): 52A. Ic(T=100°C): 15A. Markering op de kast: G15N120. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 198W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 580 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: Snelle IGBT in NPT-technologie. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Functie: Motorbesturingen, omvormer, SMPS. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. C(inch): 1600pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Trr-diode (min.): 3. Collectorstroom: 41A. Ic(puls): 112A. Ic(T=100°C): 30A. Markering op de kast: G30N60. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 291 ns. Td(aan): 44 ns. Technologie: Snelle IGBT in NPT-technologie. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Functie: Motorbedieningen, omvormer. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: G30N60HS. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 41A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 122 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Maximale collectorstroom (A): 112A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kosten): 8pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Type transistor: NPN. Vcbo: 850V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SGW25N120. Collector-emitterspanning Uce [V]: 1.2 kV. Collectorstroom Ic [A]: 46A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 60 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 990 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 313W. Maximale collectorstroom (A): 84A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: G30N60. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 41A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 53 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 389 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Maximale collectorstroom (A): 112A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: G30N60HS. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 41A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 122 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Maximale collectorstroom (A): 112A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Behuizing (JEDEC-standaard): plastic buis. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 106 ns. Td(aan): 16 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.9V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V