SI4435BDY

SI4435BDY. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 5.6A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 110 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 12:25.