SI4448DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3. C(inch): 12350pF. Kosten): 2775pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 84 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Power MOSFET. Id(imp): 70A. Binnendiameter (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 7.8W. Aan-weerstand Rds Aan: 17m Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 240 ns. Td(aan): 38 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 12V. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Aantal per doos: 1. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 12:25.