P-kanaaltransistor, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V - SI4401BDY

P-kanaaltransistor, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V - SI4401BDY. P-kanaaltransistor, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (max): 10uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 40V. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 35ms. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 5.9A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 97 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 28/07/2025, 11:25.