Transistoren

C(inch): 30pF. Kosten): 8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 75. Collectorstroom: 0.8A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 30 ns. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92AMMO. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2907A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

C(inch): 3195pF. Kosten): 221pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 52 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: standaard schakelen. Id(imp): 272A. Binnendiameter (T=100°C): 47A. ID (T=25°C): 68A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.06uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Aan-weerstand Rds Aan: 13.9m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 52.5 ns. Td(aan): 20.7 ns. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK (SOT404). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4900pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 240A. Binnendiameter (T=100°C): 60.8A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 0.05uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 12m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 95 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4720pF. Kosten): 456pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 118 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 200A. Binnendiameter (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 0.05uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 79 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aan-weerstand Rds Aan: 30 milliOhms. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: IDM 200A (Tmb 25°C; pulsed). G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-363. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Markering van de fabrikant: B*1. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 180 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: dubbele PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-363. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Markering van de fabrikant: D*2. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 180 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: paar NPN- en PNP-transistors

C(inch): 30pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit . Id(imp): 21.9A. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 07N65C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2930pF. Kosten): 1150pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 380A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 2N03L04. Pd (vermogensdissipatie, max.): 188W. Aan-weerstand Rds Aan: 5M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 54 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: Cool Mos. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-251AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: RFD14N05L. Afvoerbronspanning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 670pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F14N05. Afvoerbronspanning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 670pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 850pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: diode. ID (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (max): 12A. Markering op de kast: F3055L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Enhancement-Mode Vermogens-MOSFET . Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spanning Vds(max): 60V. Aantal per doos: 1. Functie: logische niveauregeling, ESD-bescherming

Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 125us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: D8P05. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 42 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: Power MOSFET MegaFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 50V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: ID pulse 20A. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 900pF. Kosten): 325pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 30A. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: F12N10L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 15 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+155°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: MegaFET. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 53W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Enhancement-Mode Vermogens-MOSFET . Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. Aantal per doos: 1

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: RFP3055LE. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 350pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 38W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: RFP50N06. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 37 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2020pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 131W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.022 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 37 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 50

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: RFP70N06. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2250pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 32 ns. Td(aan): 10 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 50. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: Temperatuurgecompenseerd PSPICE®-model

Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 23 ns. Collectorstroom: 35A. Ic(puls): 250A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 20 ns. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PSG. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 330V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.1us. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 23 ns. Collectorstroom: 35A. Ic(puls): 250A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 20 ns. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PSG. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 330V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. CE-diode: ja

C(inch): 1200pF. Kosten): 80pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 23 ns. Compatibiliteit: Samsung PS42C450B1WXXU. Functie: Hoge snelheid stroomschakeling. Collectorstroom: 35A. Ic(puls): 250A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 0.06 ns. Td(aan): 0.02 ns. Technologie: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PSG. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 20A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 178W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 500V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 40A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: N-kanaal MOSFET-transistor. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 500V. Aantal per doos: 1. Functie: Trr 450ns, td(on) 52ns, td(off) 180ns

C(inch): 85pF. Kosten): 40pF. Kanaaltype: N. Functie: IGBT. Collectorstroom: 30A. Ic(puls): 250A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 90 ns. Td(aan): 40 ns. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 360V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: 150ns, 30W, 40A. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 1250pF. Kosten): 40pF. Kanaaltype: P. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 200A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 20 ns. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 630V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS