SI4425BDY

SI4425BDY. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 41ms. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11.4A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.01 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 100 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 09:25.