N-kanaaltransistor, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD024

N-kanaaltransistor, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD024. N-kanaaltransistor, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 640pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 88 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 21/04/2025, 22:25.