N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 55V, 53A, 1, TO-247, TO-247AC, 55V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. Behuizing (JEDEC-standaard): 1. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 55V. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP044N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 120W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET

N-kanaaltransistor, 52A, 70A, 250uA, 0.018 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 52A. ID (T=25°C): 70A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.018 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 2400pF. Kosten): 1300pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PowerMOSFET. Id(imp): 290A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 210 ns. Td(aan): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 1900pF. Kosten): 620pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 94 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 210A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 32 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 64A. ID (T=25°C): 70A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 4500pF. Kosten): 2000pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 83 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 81A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.012 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 2900pF. Kosten): 880pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 81 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 290A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 4000pF. Kosten): 1300pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 390A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 55V, 110A, 150W. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Behuizing (JEDEC-standaard): 150W. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP064NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 60V, 70A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP064PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 21 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 7400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.077 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1700pF. Kosten): 550pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 180 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 60.4k Ohms. ID s (min): 25uA. Let op: complementaire transistor (paar) IRFP9140. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. RoHS: ja. Td(uit): 53 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Vermogen: 180W. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0042 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 5600pF. Kosten): 1310pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 640A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. RoHS: ja. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Vermogen: 310W. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 31A, 31A, 0.51 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 100V. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 31A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.51 Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 100V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: PowerMOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 131W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET

N-kanaaltransistor, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.052 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 100V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: PowerMOSFET. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 44 ns. Td(aan): 8.2 ns. Technologie: HEXFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 29A. ID (T=25°C): 41A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 2800pF. Kosten): 1100pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 220 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: IRFP150. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.36 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1900pF. Kosten): 450pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 180 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 140A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 100V, 42A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP150NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1900pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 160W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 100V, 42A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP150PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 160W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 22A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 3450pF. Kosten): 513pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: SMPS MOSFET. Id(imp): 88A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 277W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 47 ns. Td(aan): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 1300pF. Kosten): 400pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 80A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Gewicht: 4.6g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: complementaire transistor (paar) IRFP9240. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, TO-247AC, 200V, 20A, 200V. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Afvoerbronspanning (Vds): 200V. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP240PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 20A. Vermogen: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 2159pF. Kosten): 315pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 186 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 60.4k Ohms. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 214W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 41 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, TO-247AC, 200V, 30A, 0.075 Ohms, 200V. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. Afvoerbronspanning (Vds): 200V. Markering van de fabrikant: IRFP250NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 18A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2159pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 214W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 30A. Vermogen: 214W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 200V, 30A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP250PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 190W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 250V, 23A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP254PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 74 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 190W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.04 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 4057pF. Kosten): 603pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 268 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: dynamische dv/dt-verhouding, snel schakelen. Id(imp): 200A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Gewicht: 5.57g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247, 200V, 50A, 280W. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Behuizing (JEDEC-standaard): 280W. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP260NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 17 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4057pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C