N-kanaaltransistor, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V - IRFD220PBF

N-kanaaltransistor, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V - IRFD220PBF. N-kanaaltransistor, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.8A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 200V. RoHS: ja. C(inch): 22pF. Kosten): 53pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 6.4A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 19 ns. Td(aan): 7.2 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor van de derde generatie. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 21/04/2025, 22:25.