N-kanaaltransistor, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V - IRFBF20S

N-kanaaltransistor, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V - IRFBF20S. N-kanaaltransistor, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 8 Ohms. Behuizing: TO-262 ( I2-PAK ). Behuizing (volgens datablad): TO-262. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 490pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 350 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 6.8A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 54W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 56 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 21/04/2025, 22:25.