N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247-3. Collector-emitterspanning Vceo: 1350V. C(inch): 1500pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Functie: Inductive?cooking. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 60A. Markering op de kast: H20R1353. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 405 ns. Td(aan): 335 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): PG-TO247-3. Collector-emitterspanning Vceo: 1350V. C(inch): 1360pF. Kosten): 43pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 50 ns. Functie: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 60A. Markering op de kast: H20PR5. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 288W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 235 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.65V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 1460pF. Kosten): 78pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Functie: Soft Switching Applications. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 60A. Markering op de kast: H20T120. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 178W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 560 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 2589pF. Kosten): 77pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 90A. Markering op de kast: H30R1202. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 390W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 792 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.65V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.4V. Functie: Inductief koken, Soft Switch-toepassingen. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 30A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): PG-TO247-3. Collector-emitterspanning Vceo: 1350V. C(inch): 1810pF. Kosten): 50pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 90A. Markering op de kast: H30PR5. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 310 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.65V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.95V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.4V. Functie: Inductief koken, magnetrons. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, Ander, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Kanaaltype: N. Functie: 6 x IGBT For Power Management. Collectorstroom: 15A. Ic(puls): 30A. Let op: driefasige AC-motorbestuurder. Frequentie: 20kHz. Equivalenten: Samsung--DC13-00253A. Aantal aansluitingen: 24. Pd (vermogensdissipatie, max.): 27.4W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 800 ns. Td(aan): 560 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.55V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.05V. Spec info: Ic 15A @ 25°C, 10A @ 80°C. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 860pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Functie: Hoge snelheid IGBT in NPT-technologie. Collectorstroom: 15A. Ic(puls): 45A. Markering op de kast: K15T60. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 188 ns. Td(aan): 17 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.05V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 1860pF. Kosten): 96pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 200 ns. Functie: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. Collectorstroom: 50A. Ic(puls): 75A. Markering op de kast: K25T120. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 560 ns. Td(aan): 50 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 30A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 30A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 1630pF. Kosten): 107pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 117 ns. Functie: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Markering op de kast: K30H603. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 187W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 207 ns. Td(aan): 21 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.95V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 40A, TO-247, TO-247N, 1200V. Ic(T=100°C): 40A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247N. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 2330pF. Kosten): 185pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 200 ns. Functie: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 180A. Markering op de kast: K40H1203. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 483W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 290 ns. Td(aan): 30 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.05V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.8V. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 116pF. Kosten): 2960pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 130 ns. Diodedrempelspanning: 1.65V. Functie: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Collectorstroom: 100A. Ic(puls): 200A. Markering op de kast: K50H603. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 333W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 235 ns. Td(aan): 23 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 3140pF. Kosten): 200pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 143 ns. Functie: Zeer lage VCEsat. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 150A. Markering op de kast: K50T60. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 333W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 299 ns. Td(aan): 26 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 4620pF. Kosten): 288pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 182 ns. Functie: Zeer lage VCEsat. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 225A. Markering op de kast: K75T60. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 428W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 330 ns. Td(aan): 33 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 440pF. Kosten): 30pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. ID s (min): 1uA. Let op: volledig geïsoleerde behuizing (2500VAC/60s). Markering op de kast: 6R600E6. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 28W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.83 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 785pF. Kosten): 33pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 520 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. ID s (min): 10uA. Let op: volledig geïsoleerde behuizing (2500VAC/60s). Markering op de kast: 8R1K0CE. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Aan-weerstand Rds Aan: 2.1M Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO263-7. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 214W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: OptiMOS Power. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, 100V, 60.4k Ohms. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 128 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 840pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 313W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.4M Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 7500pF. Kosten): 1900pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 4N03L02. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 136W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 62 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultra lage weerstand. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 80A, 80A, 100uA, 5.6M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5.6M Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 3400pF. Kosten): 880pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 2N0607. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 61 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultra lage weerstand. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 6.5m Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 2860pF. Kosten): 740pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 2N0608. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 215W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 32 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultra lage weerstand. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 7.6m Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 2360pF. Kosten): 610pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 2N0609. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 39 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultra lage weerstand. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.8m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): PG-TO252-3 ( DPAK ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 8000pF. Kosten): 1700pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 48 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(imp): 400A. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 034N06N. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 63 ns. Td(aan): 38 ns. Technologie: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0058 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 2400pF. Kosten): 920pF. Kanaaltype: N. Id(imp): 350A. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 050N03L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25 ns. Td(aan): 6.7 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 27uA. Aan-weerstand Rds Aan: 7.6m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 1900pF. Kosten): 760pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: PN03L06. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 136W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: OptiMOS® Power-Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 6.5m Ohms. Behuizing: TO-262 ( I2-PAK ). Behuizing (volgens datablad): TO-262. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 2860pF. Kosten): 740pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 2N0608. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 215W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 32 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultra lage weerstand. G-S-bescherming: NINCS