N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 75V, 82A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F2807S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3820pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 230W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 180A, 260A, 260A, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (max): 260A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.019 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 290W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

N-kanaaltransistor, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.019 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 6320pF. Kosten): 1980pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 1020A. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 290W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 48 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.035 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 75V. C(inch): 7500pF. Kosten): 970pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 41 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: IRF2907Z. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 97 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 60.4k Ohms, 180A, 180A, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ), 75V. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 180A. Idss (max): 180A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.03 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ). Spanning Vds(max): 75V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

N-kanaaltransistor, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 3247pF. Kosten): 781pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Geavanceerde procestechnologie . Id(imp): 390A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 55V, 98A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF3205PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3247pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250nA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 3247pF. Kosten): 781pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Geavanceerde procestechnologie . Id(imp): 390A. ID s (min): 25nA. Equivalenten: IRF3205SPBF. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 50 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F3205S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3247pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 4.9m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 3450pF. Kosten): 550pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Geavanceerde procestechnologie . Id(imp): 440A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.0049 Ohm, TO-220AB, 55V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0049 Ohm. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 55V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 75A. Vermogen: 170W

N-kanaaltransistor, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Binnendiameter (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 150V. C(inch): 1300pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 174 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 108A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 136W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 49 ns. Td(aan): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Binnendiameter (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 43A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0042 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 150V. C(inch): 2400pF. Kosten): 640pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 260 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 150A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 71 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.042 Ohms, TO-220, 150V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.042 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 150V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 43A. Vermogen: 130W

N-kanaaltransistor, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 23m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 3230pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 49 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 100V, 57A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF3710PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3130pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.025 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 3000pF. Kosten): 640pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 210 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 180A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 58 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 57A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F3710S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3130pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 69A, 110A, 110A, 0.047 Ohms, TO-220, TO-220AB, 20V. Binnendiameter (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 110A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.047 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 20V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Functie: td(on) 12ns, td(off) 17ns

N-kanaaltransistor, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. Binnendiameter (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 4.7M Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 20V. C(inch): 2980pF. Kosten): 1770pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 48 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequent geïsoleerde DC-DC. Id(imp): 440A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 17 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. Binnendiameter (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 92A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0048 Ohm. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 20V. C(inch): 2150pF. Kosten): 680pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequente synchrone buck. Id(imp): 380A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.45V. Vgs(th) min.: 1.55V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 97A. ID (T=25°C): 140A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0059 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 75V. C(inch): 5310pF. Kosten): 890pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 93 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 550A. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: IRF3808. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 68 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V. Binnendiameter (T=100°C): 7.75A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204A ). Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 2700pF. Kosten): 600pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1600 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Repetitive Avalanche Ratings. Id(imp): 48A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 170 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: HEXFET Vermogens-MOSFET-transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 180pF. Kosten): 81pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 43W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 100V, 5.6A, 0.54 Ohms, TO-220, 100V. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.6A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 100V. Markering van de fabrikant: IRF510PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 3.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 180pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 43W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 5.6A. Vermogen: 43W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C