N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 6m Ohms, PG-SOT223. Aan-weerstand Rds Aan: 6m Ohms. Behuizing (volgens datablad): PG-SOT223. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 6.9W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C

N-kanaaltransistor, 0.065 Ohms, TO-220AC. Aan-weerstand Rds Aan: 0.065 Ohms. Behuizing: TO-220AC. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 33A. Vermogen: 171W. Ingebouwde diode: ja

N-kanaaltransistor, 0.018 Ohms, TO-247AC. Aan-weerstand Rds Aan: 0.018 Ohms. Behuizing: TO-247AC. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 106A. Vermogen: 446W. Ingebouwde diode: ja

N-kanaaltransistor, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220FP, HexSense TO-220F-5, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): HexSense TO-220F-5. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 130pF. Kosten): 430pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Single FET, Dual Source. Id(imp): 72A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 5. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.12 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 2800pF. Kosten): 880pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, ultralage weerstand. Id(imp): 330A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 41 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.11 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 3210pF. Kosten): 690pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 290A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gebruikt voor: -55...+175°C. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 71A, 100A, 100A, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 71A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 100A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.009 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Vgs 20V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Ultra lage weerstand (Rds)

N-kanaaltransistor, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1900pF. Kosten): 450pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 180 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: dynamische dv/dt-verhouding, snel schakelen. Id(imp): 140A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 100V, 41A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 41A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF1310NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1900pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 160W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 42A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F1310NS. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1900pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 160W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V. Binnendiameter (T=100°C): 249A. ID (T=25°C): 353A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 24V. C(inch): 5790pF. Kosten): 3440pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 46 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Id(imp): 1412A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 83 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 162A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.5m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 7360pF. Kosten): 1680pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 71 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 650A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 40V, 202A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 202A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF1404PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 121A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 17 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 46 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5669pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 333W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. Binnendiameter (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.7M Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 4340pF. Kosten): 1030pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 220W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 36ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 162A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 162A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F1404S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 17 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 72 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 7360pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.7M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 4340pF. Kosten): 1030pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 220W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 118A. ID (T=25°C): 169A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0046 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 5480pF. Kosten): 1210pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 88 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 55V, 169A, 0.0053 Ohms, TO-220, 55V. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 169A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0053 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 55V. Markering van de fabrikant: IRF1405PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5480pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 330W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 169A. Vermogen: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0037 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 4780pF. Kosten): 770pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 600A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 48 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0078 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 75V. C(inch): 5600pF. Kosten): 890pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Diodedrempelspanning: 1.3V. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 520A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.0078 Ohms, TO-220, 75V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0078 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 75V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 130A. Vermogen: 330W

N-kanaaltransistor, 43A, 75A, 250uA, 1.8M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.8M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 6450pF. Kosten): 1690pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: snel schakelen, automobieltoepassingen. Id(imp): 1080A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.9M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 5110pF. Kosten): 1190pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: snel schakelen, automobieltoepassingen. Id(imp): 700A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 68 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 82A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 13m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 75V. C(inch): 3850pF. Kosten): 610pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 280A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 49 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 75V, 82A, 0.013 Ohms, TO-220, 75V. Afvoerbronspanning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.013 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 75V. Markering van de fabrikant: IRF2807PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3820pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 230W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 82A. Vermogen: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C