N-kanaaltransistor, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V - IPD034N06N3GATMA1

N-kanaaltransistor, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V - IPD034N06N3GATMA1. N-kanaaltransistor, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.8m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): PG-TO252-3 ( DPAK ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 8000pF. Kosten): 1700pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 48 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(imp): 400A. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 034N06N. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 63 ns. Td(aan): 38 ns. Technologie: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 21/04/2025, 05:25.