N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.48 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 1515pF. Kosten): 185pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 90 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: QFET ® FRFET ® MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 43nC, lage Crss 20pF. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 11.8A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.12 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 1220pF. Kosten): 220pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 48A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 20 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Technologie: N-kanaal MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.14 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 830pF. Kosten): 195pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 208 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 76A. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 43W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 135 ns. Td(aan): 15 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Technologie: N-kanaal MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 11.1A, 15.7A, 10uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 11.1A. ID (T=25°C): 15.7A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.042 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 480pF. Kosten): 175pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 54 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 62.8A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 17nC, lage Crss 5,6pF. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 4 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 543pF. Kosten): 54pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 642 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 12A. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 39W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 22.5 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 13nC, lage Crss 5,5pF. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.5 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 740pF. Kosten): 65pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 47W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 17nC, lage Crss 5,6pF. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.14 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 480pF. Kosten): 80pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 263 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 18nC, lage Crss 15pF. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 515pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 46 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 15nC, lage Crss 6,5pF. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.57 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1290pF. Kosten): 120pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 26.4A. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 56W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: Lage poortlading (typisch 40nC), Lage Crss 10pF. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 3170pF. Kosten): 1150pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 212A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 170 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 17nC, lage Crss 5,6pF. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, ITO-220, 600V, 7.6A, TO-220FP, TO-220F, 600V, 1. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Behuizing (JEDEC-standaard): 1. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FQPF8N60C. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 45 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 170 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1255pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 81 ns. Td(aan): 16.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.29 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1580pF. Kosten): 135pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 690 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Productiedatum: 201432. Id(imp): 32A. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 59W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.7 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 790pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 44W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 93 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: +55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 28nC, lage Crss 24pF. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.12 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 2100pF. Kosten): 175pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle schakelaar, Lage poortlading 40nC, Lage Crss 14pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 9.3 Ohms. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 130pF. Kosten): 19pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: FQT1N60C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.1W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 13 ns. Td(aan): 7 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 0.55A. ID (T=25°C): 0.85A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 240pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 90 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 3.4A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 7 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Kosten): 36pF. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 10.9A. ID (T=25°C): 17.2A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.046 Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 480pF. Kosten): 175pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 54 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 68.8A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: lage poortlading (typ 9,5nC). G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.72 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FN. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1500pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID s (min): na. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 10A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 10A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.72 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Ifsm--30App. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.32 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 250V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Power MOSFET. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen

N-kanaaltransistor, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.32 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 250V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Power MOSFET. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen

N-kanaaltransistor, 75A, Ander, Ander, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): Ander. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 5300pF. Kanaaltype: N. Collectorstroom: 100A. Ic(puls): 150A. Markering op de kast: FS75R12KE3G. Afmetingen: 122x62x17.5mm. Pd (vermogensdissipatie, max.): 355W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 42us. Td(aan): 26us. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.65V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.15V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Functie: ICRM 150A Tp=1ms. Aantal aansluitingen: 35. Let op: 6x IGBT+ CE Diode. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.54 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FN. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 1380pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH-SPEED SW.. Id(imp): 21A. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 180 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 1200A, Ander, Ander, 1200V. Ic(T=100°C): 1200A. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): Ander. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 74pF. Kanaaltype: N. Collectorstroom: 1790A. Ic(puls): 2400A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 7150W. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 0.92 ns. Td(aan): 0.41 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Drempelspanning Vf (max): 2.35V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.8V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.8V. Aantal aansluitingen: 7. Functie: ICRM--Tp=1mS 2400A. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5.3m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 1800pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. ID s (min): n/a. Markering op de kast: G60N04K. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 6.5 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. Functie: stroomschakeling, DC/DC-converters. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS