N-kanaaltransistor, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - IPB80N03S4L-02

N-kanaaltransistor, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - IPB80N03S4L-02. N-kanaaltransistor, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.4M Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 7500pF. Kosten): 1900pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 4N03L02. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 136W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 62 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultra lage weerstand. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 21/04/2025, 05:25.