Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 4 | 4.90€ | 5.93€ |
5 - 9 | 4.66€ | 5.64€ |
10 - 24 | 4.51€ | 5.46€ |
25 - 44 | 4.31€ | 5.22€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.90€ | 5.93€ |
5 - 9 | 4.66€ | 5.64€ |
10 - 24 | 4.51€ | 5.46€ |
25 - 44 | 4.31€ | 5.22€ |
N-kanaaltransistor, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7 - IPB014N06NATMA1. N-kanaaltransistor, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Aan-weerstand Rds Aan: 2.1M Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO263-7. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 214W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: OptiMOS Power. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Origineel product van fabrikant Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 26/07/2025, 17:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.