N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 16A, 25A, 25uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 25uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 1700pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 37 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Logische niveau-gated transistor. Id(imp): 80A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 39W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 26 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IDM--80A pulse. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P( GCE ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Kanaaltype: N. Functie: Huidige resonantie-omvormerschakeling . Collectorstroom: 30A. Ic(puls): 100A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 400 ns. Td(aan): 30 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 4650pF. Kanaaltype: N. Functie: Schakeltoepassingen met hoog vermogen. Collectorstroom: 30A. Ic(puls): 60A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 0.3 ns. Td(aan): 0.09 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.45V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Behuizing: TO-3P( N )IS. Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Kanaaltype: N. Functie: Schakeltoepassingen met hoog vermogen. Collectorstroom: 37A. Ic(puls): 100A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 0.51 ns. Td(aan): 0.33 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Poort-/emitterspanning VGE: 25V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Collectorstroom: 35A. Ic(puls): 80A. Markering op de kast: 10N120BND. Pd (vermogensdissipatie, max.): 298W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 165 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: NPT-serie IGBT-transistor met anti-parallelle hypersnelle diode. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.45V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 6V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.8V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 30. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 23A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 23A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Functie: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Productiedatum: 2014/17. Collectorstroom: 54A. Ic(puls): 96A. Markering op de kast: 12N60A4D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 96 ns. Td(aan): 17 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.6V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.6V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Kanaaltype: N. Functie: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Collectorstroom: 24A. Ic(puls): 96A. Markering op de kast: G12N60C3D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 104W. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 270 ns. Td(aan): 14 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.65V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 45 ns. Functie: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 160A. Markering op de kast: G20N60B3D. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 165W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 220 ns. Td(aan): 25 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Spec info: Typische valtijd 140 ns bij 150°C. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Functie: SMPS Series IGBT. Collectorstroom: 75A. Ic(puls): 240A. Markering op de kast: G30N60A4. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 463W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 25 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.6V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 7V. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Behuizing: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. RoHS: ja. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 30 ns. Functie: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Collectorstroom: 75A. Ic(puls): 240A. Markering op de kast: 30N60A4D. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 463W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 25 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 63A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 63A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Kanaaltype: N. Collectorstroom: 75A. Ic(puls): 300A. Markering op de kast: 40N60A4. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 145 ns. Td(aan): 25 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 7V. Spec info: 100kHz Operation At 390V 40A. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Kanaaltype: N. Collectorstroom: 25A. Ic(puls): 40A. Markering op de kast: 5N120BND. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 182 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: NPT-serie IGBT-transistor met anti-parallelle hypersnelle diode. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.45V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3.7V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 6V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.8V. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 250pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 75307D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-252AA ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 250pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 75307D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 35 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 75A, 250uA, 6.5m Ohms, TO-247, TO-247, 55V. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 6.5m Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 3200pF. Kosten): 1170pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 105 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaar. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 75344 G. Pd (vermogensdissipatie, max.): 285W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 46 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.065 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 3200pF. Kosten): 1170pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 105 ns. Type transistor: MOSFET. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 75344 P. Pd (vermogensdissipatie, max.): 285W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 46 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0115 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 3790pF. Kosten): 810pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 145 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 75645 P. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 41 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AB ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0115 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-252AB ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 3790pF. Kosten): 810pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 145 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 75645 S. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 41 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.017 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-252AA ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 850pF. Kosten): 465pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 58 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 76121D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 45 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 30 v, 75A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: HUF76145P3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 110 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 135 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4900pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 270W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, Ander, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Kanaaltype: N. Functie: 6 x IGBT For Power Management. Collectorstroom: 15A. Let op: driefasige AC-motorbestuurder. Frequentie: 20kHz. Aantal aansluitingen: 24. Pd (vermogensdissipatie, max.): 29W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 750 ns. Td(aan): 600 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Bedrijfstemperatuur: -40...+100°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, Ander, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Kanaaltype: N. Functie: 6 x IGBT For Power Management. Collectorstroom: 20A. Let op: driefasige AC-motorbestuurder. Frequentie: 20kHz. Aantal aansluitingen: 24. Pd (vermogensdissipatie, max.): 29W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 650 ns. Td(aan): 970 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Bedrijfstemperatuur: -40...+100°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 4620pF. Kosten): 240pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Functie: Zeer lage VCEsat. Collectorstroom: 140A. Ic(puls): 225A. Markering op de kast: G75H603. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 428W. RoHS: ja. Levertijd: KB. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 265 ns. Td(aan): 31 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.25V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 1165pF. Kosten): 40pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Collectorstroom: 30A. Ic(puls): 45A. Markering op de kast: H15R1203. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 254W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 300 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.48V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.75V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): PG-TO247-3. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 1340pF. Kosten): 43pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 90 ns. Functie: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 60A. Markering op de kast: H20MR5. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 288W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 350 ns. Td(aan): 260 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.55V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.75V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS