KSC2310-Y

KSC2310-Y. Kosten): 3.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Collectorstroom: 0.05A. Markering op de kast: C2310 Y. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92L (9mm magas). Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 12:25.