Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 4 | 1.66€ | 2.01€ |
5 - 9 | 1.58€ | 1.91€ |
10 - 24 | 1.50€ | 1.82€ |
25 - 49 | 1.41€ | 1.71€ |
50 - 59 | 1.38€ | 1.67€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.66€ | 2.01€ |
5 - 9 | 1.58€ | 1.91€ |
10 - 24 | 1.50€ | 1.82€ |
25 - 49 | 1.41€ | 1.71€ |
50 - 59 | 1.38€ | 1.67€ |
KSD2012GTU. Kosten): 35pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 150. Collectorstroom: 3A. Markering op de kast: D2012-G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55°C tot +150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) KSB1366. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/01/2025, 16:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.