Transistoren

Kosten): 8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 600mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 75. Collectorstroom: 0.6A. Let op: pin-out E, C, B. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V

Kosten): 6pF. Conditioneringseenheid: 2000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: hoogspanningstransistor. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 500mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PNP epitaxiale siliciumtransistor. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Type transistor: PNP. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SW. Collectorstroom: 100mA. Markering op de kast: R1002. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V

Weerstand B: 22k Ohms. BE-weerstand: 22k Ohms. Kosten): 100pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: SW. Collectorstroom: 0.1A. Markering op de kast: R1003. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: +55...+150°C. Vcbo: 50V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 10V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SW. Collectorstroom: 100mA. Markering op de kast: R1007. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S. Collectorstroom: 0.1A. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S. Collectorstroom: 0.1A. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S. Collectorstroom: 0.1A. Let op: 0.3W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S. Collectorstroom: 0.1A. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Spec info: 0504-000142. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SW. Collectorstroom: 0.1A. Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Weerstand B: 47. BE-weerstand: 47. Kosten): 2.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S. Collectorstroom: 0.1A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Spec info: 12159-301-810. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Weerstand B: 10. BE-weerstand: 10. Kosten): 3.7pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: SWITCHING APPLICATION. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Collectorstroom: 0.15A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Collectorstroom: 1.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 150V

Kosten): 50pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale vlakke PNP-transistor . Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Type transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 280pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: Krachtige audioversterker. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 55. Collectorstroom: 10A. Markering op de kast: B778. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3P ( H ) IS. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) KTD998. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 0.8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 3.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 800 MHz. Functie: FM-V/M/O. Maximale hFE-versterking: 198. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 20mA. Markering op de kast: 15.8k Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 4 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: hFE 20...90. Collectorstroom: 3A. Let op: T32. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 0.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 11 MHz. Functie: S-L. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Vcbo: 210V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Collectorstroom: 100A. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Markering op de kast: 60T65PES. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 535W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 142ns. Td(aan): 45 ns. Technologie: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 650V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: FET. Functie: 0505-111646. ID (T=25°C): 1.4A. Idss (max): 1.4A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SMD 5p.. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code QU

Kosten): 1pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoogspanningstransistor voor standaarddefinitie CRT. Maximale hFE-versterking: 8.5. Minimale hFE-versterking: 5.5. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 57W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218FX. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 0.55pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoogspanningstransistor voor standaarddefinitie CRT. Maximale hFE-versterking: 7.5. Minimale hFE-versterking: 5.5. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 57W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218FX. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Vebo: 10V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 4pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: FAST-SWITCH. Maximale hFE-versterking: 7. Minimale hFE-versterking: 4.5. Collectorstroom: 12A. Ic(puls): 18A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 58W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Behuizing: ISOWATT218FX. Behuizing (volgens datablad): TO-218-FX. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS