Transistoren

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: FAST-SWITCH. Maximale hFE-versterking: 18. Minimale hFE-versterking: 5. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 16A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 58W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Vebo: 7V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Aantal per doos: 2. Collector-emitterspanning VCEO: 50V. Collectorstroom: 0.8A. Vermogen: 0.46W. Behuizing: TO-78

Kosten): 1.6pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 64kHz. Functie: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Productiedatum: 2014/17. Maximale hFE-versterking: 8.5. Minimale hFE-versterking: 6. Collectorstroom: 14A. Ic(puls): 21A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218FX. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 1700pF. Kosten): 184pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 430 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 49W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.45 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 76 ns. Td(aan): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Functie: SMPS, hogesnelheidsschakeling. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1650pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 355 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 49.6W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.45 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 132 ns. Td(aan): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Functie: SMPS, hogesnelheidsschakeling. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 780pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 272 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 28nC, lage Crss 24pF. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.72 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: +55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1160pF. Kosten): 134pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 360ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: MDF9N60. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 48 ns. Td(aan): 31 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Functie: SMPS, hogesnelheidsschakeling. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kosten): 2.5pF. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 20A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 175W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.6us. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Vebo: 8V. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 4pF. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 25. Collectorstroom: 50A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 7pF. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 75...1000. Collectorstroom: 60A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ11015G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 30A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Let op: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ11016

RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): 4pF. Kosten): TO-204AA. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 30A. Ic(puls): +200°C. Let op: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Let op: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ11015. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Uitvoering: Darlington-transistor. Collector-emitterspanning VCEO: -60V. Collectorstroom: -50A. Vermogen: 300W

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Maximale hFE-versterking: 18000. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 50A. Ic(puls): 100A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204 ). Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ11033

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ11032G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

Kosten): 300pF. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Maximale hFE-versterking: 18000. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 50A. Ic(puls): 100A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204 ). Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ11032

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ11033G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ15003G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 140V. Collectorstroom Ic [A], max.: 20A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15004

RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-weerstand: 70. C(inch): TO-3. Kosten): TO-204AA. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: vermogenstransistor. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 20A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15003. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Ic(puls): 20A

BE-weerstand: 70. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.8 MHz. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Spec info: Motorola. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

BE-weerstand: 70. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.8 MHz. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 15A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15016. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ15015G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 6 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

Kosten): 360pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.8 MHz. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: PNP. Vcbo: 200V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.8 MHz. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 15A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15015. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ15016G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 18 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Componentfamilie: hoogspanning PNP-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C