Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 9 | 0.37€ | 0.45€ |
10 - 24 | 0.36€ | 0.44€ |
25 - 49 | 0.34€ | 0.41€ |
50 - 99 | 0.32€ | 0.39€ |
100 - 125 | 0.29€ | 0.35€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.37€ | 0.45€ |
10 - 24 | 0.36€ | 0.44€ |
25 - 49 | 0.34€ | 0.41€ |
50 - 99 | 0.32€ | 0.39€ |
100 - 125 | 0.29€ | 0.35€ |
KSC2310-O. Kosten): 3.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 70. Collectorstroom: 0.05A. Markering op de kast: C2310 O. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92L (9mm magas). Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 06:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.