IXFA130N10T2

IXFA130N10T2. C(inch): 6600pF. Kosten): 640pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 300A. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 360W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.01 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 24 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/01/2025, 20:25.