IXFH26N60Q

IXFH26N60Q. C(inch): 4700pF. Kosten): 580pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 104A. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 360W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 80 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.