IXFK64N50P

IXFK64N50P. RoHS: ja. C(inch): 7900pF. Kosten): 790pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 200 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. Binnendiameter (T=100°C): 5.5V. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 830W. Aan-weerstand Rds Aan: 85m Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 85 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264AA. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/01/2025, 20:25.