Transistoren

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SMD-220. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L640S. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 150A. Vermogen: 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0038 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 30V

C(inch): 7660pF. Kosten): 2150pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 740A. Binnendiameter (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.004 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 21 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: HEXFET Power MOSFET-transistor, logisch niveaugestuurd. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 10315pF. Kosten): 1980pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 39 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1372A. Binnendiameter (T=100°C): 243A. ID (T=25°C): 343A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 375W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 97 ns. Td(aan): 65 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: DC-motoraandrijving, snelle stroomschakeling. Spec info: logische niveauregeling. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1077pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. Binnendiameter (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0065 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 9 ns. Td(aan): 9.1ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5110pF. Kosten): 960pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: UPS, DC/DC-omzetter. Id(imp): 620A. Binnendiameter (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.5M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5110pF. Kosten): 960pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: UPS, DC/DC-omzetter. Id(imp): 620A. Binnendiameter (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.5M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) min.: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 7660pF. Kosten): 2150pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 740A. Binnendiameter (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.004 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 21 ns. Behuizing: SUPER-220. Behuizing (volgens datablad): SUPER220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: HEXFET Power MOSFET-transistor, logisch niveaugestuurd. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 720A. Binnendiameter (T=100°C): 126A. ID (T=25°C): 179A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 270W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.005 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 29 ns. Td(aan): 14 ns. Behuizing: SUPER-220. Behuizing (volgens datablad): SUPER220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: HEXFET Power MOSFET-transistor, logisch niveaugestuurd. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: SUPER-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRLBA3803PPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 179A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 59A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 270W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. Functie: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. Binnendiameter (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 1.7A. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): HVMDIP ( DIP-4 ). Spanning Vds(max): 60V

C(inch): 870pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Diversen: Dynamic dv/dt Rating. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 23 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): HVMDIP ( DIP-4 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Snel schakelende poortaandrijving op logisch niveau. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DIP4. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: IRLD024PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 870pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 740pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 52 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Versterkertoepassingen geoptimaliseerd voor klasse-D-audio. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 2uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 39W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.042 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 23 ns. Td(aan): 5.7 ns. Technologie: Digitale audio-HEXSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 660pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 57 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Versterkertoepassingen geoptimaliseerd voor klasse-D-audio. G-S-bescherming: diode. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 2uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. Aan-weerstand Rds Aan: 93m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 21 ns. Td(aan): 9.5 ns. Technologie: Digitale audio-HEXSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -40...+170°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: LL014N. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 5.1 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 14 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 230pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FL024. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 18 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 510pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.3 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 16 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 250pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 530pF. Kosten): 230pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 42 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Binnendiameter (T=100°C): 3.1A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.1W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.45 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 6.9ns. Td(aan): 7.4 ns. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: LL2703. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 6.9ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 530pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: LL2703. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 6.9ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 530pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: LL2705. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.8A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 35 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 870pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1A. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 0.47A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 2.5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 9.7 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 110pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.54W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 740pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 33A. Binnendiameter (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.035 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 54 ns. Td(aan): 7.5 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 20V. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1g. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.4A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 54 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 740pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C