N-kanaaltransistor, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - IRFBC30

N-kanaaltransistor, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - IRFBC30. N-kanaaltransistor, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.2 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 660pF. Kosten): 86pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 370 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/04/2025, 23:25.