Transistoren

C(inch): 1300pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 470ms. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. Binnendiameter (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFIBF30GPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Aan-weerstand Rds Aan: 0.024 Ohms. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 31A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 55V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FL014N. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 1.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 12 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 190pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FA. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 13 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 400pF. Kosten): 145pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 35 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 11.2A. Binnendiameter (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 2.8A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Equivalenten: IRFL024NPBF. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.1W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 22.2 ns. Td(aan): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FL024N. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.8A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.1 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 0.96A. ID (T=25°C): 1.5A. Idss (max): 1.5A. Let op: b47kaa. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.1W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 100V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FL110. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.9ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 180pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 7.7A. Binnendiameter (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.96A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Let op: zeefdruk/SMD-code FC. Markering op de kast: FC. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.1W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 14 ns. Td(aan): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.96A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 0.58A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 14 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 140pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. C(inch): 660pF. Kosten): 230pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 30A. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. IGF: 660pF. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.1W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.045 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 19 ns. Td(aan): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FL4310. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 34 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 330pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FE. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -1.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 9.6 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 270pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 200pF. Kosten): 94pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 8.8A. Binnendiameter (T=100°C): 0.69A. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.1W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.1A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP044N. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 120W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 1. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 55V

C(inch): 2400pF. Kosten): 1300pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PowerMOSFET. Id(imp): 290A. Binnendiameter (T=100°C): 52A. ID (T=25°C): 70A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.018 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 210 ns. Td(aan): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1900pF. Kosten): 620pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 94 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 210A. Binnendiameter (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 32 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4500pF. Kosten): 2000pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. Binnendiameter (T=100°C): 64A. ID (T=25°C): 70A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 83 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2900pF. Kosten): 880pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 81 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 290A. Binnendiameter (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 81A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.012 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4000pF. Kosten): 1300pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 390A. Binnendiameter (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP064NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Behuizing (JEDEC-standaard): 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP064PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 21 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 7400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 1700pF. Kosten): 550pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 180 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 60.4k Ohms. Binnendiameter (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Let op: complementaire transistor (paar) IRFP9140. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.077 Ohms. RoHS: ja. Td(uit): 53 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Vermogen: 180W. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS