IRFD9014

IRFD9014. C(inch): 270pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: P. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 100dB. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: FET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Id(imp): 8.8A. Binnendiameter (T=100°C): 0.8A. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 10 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 17:25.