IRFBG30

IRFBG30. C(inch): 980pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 410 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 12A. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 89 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 1000V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 12:25.